- Modell Nr.: ddr1 ddr2 ddr3
- Speichertyp : DDR2
- Anwendung : Desktop
- Speicherkapazität : 1G
- Trademark: OEM
- Origin: Shenzhen
- Production Capacity: 5000, 000 pcs/year
Soem-RAM-Gedächtnis/Soem ddr1 ddr2 ddr3/Soem-Gedächtnismodul
DDR1, DDR2, DDR3
Tischrechner, Laptop-Computer
128MB/256MB/512MB/1G/2G
1) DDR 400/333 u. DDRII 533/667/800 MHZ
2) 168/184/240-pin Art Doppelreihengedächtnismodul (DIMM) der Einfaßung
3) 2.6V Spg.Versorgungsteil
4) Datenrate: 400/333/533/667/800Mbps (Maximum)
5) 2.5 (SSTL-2 kompatibel) Input/Output V für Produkte DDR-I, Versorgungsmaterial 1.8Vpower für Produkte DDR-II
6) Doppelt-Daten-Rate Architektur, zwei Datenübertragungen pro Taktgeberzyklus
7) Bidirektionaler, differenzialer Datenröhrenblitz (DQS) wird übertragen,/empfangen mit Daten, verwendet zu werden, wenn man Daten an den Empfänger 8) Dateneingaben und den Ausgängen gefangennimmt, werden synchronisiert mit DQS
9) DQS ist der Rand, der mit Daten für gelesen ausgerichtet ist, zentrieren übereingestimmt mit Daten für schreiben
10) Differenzzeituhreingänge (CK und CK)
11) DLL richtet DQ und DQS Übergänge mit CK-Übergängen aus
12) Befehle eingegeben auf jedem positiven CK-Rand: Daten und Datenschablone bezogen zu beiden Rändern von DQS
13) Vier interne Bänke für Parallelbetrieb (Bestandteil)
14) Daten maskieren (DM) für schreiben Daten
15) Selbstaufladungswahl für jede sprengte Zugang
16) Programmierbare Stoßlänge: 2, 4, 8
17) Programmable/CAS Latenz (CL): 3
18) Programmierbare Ausgangsfahrerstärke: Normal/schwach
19) Zyklen erneuern: (8192 erneuern cycles/64ms)
20) erneuern maximale durchschnittliche periodische 7.8US Abstand
21) Informierter CAS durch programmierbare additive Latenz für bessere Befehls- und Datenübertragungsweg-Leistungsfähigkeit
22) Weg-Span-Fahrer Widerstand Justage und Auf-sterbenendpunkt für bessere Signalqualität
23) DQS kann für single-ended Datenröhrenblitzbetrieb untauglich sein
24) 2 Veränderungen von erneuern
25) Automobil erneuern
26) Selbst erneuern